GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1

產(chǎn)品介紹

本電源模塊是65W單一C界面，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時(shí)可達(dá)93%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一 次 側(cè) 控 制 IC 驅(qū) 動(dòng) MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到較佳匹配。

一、GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1的特性：

返馳式谷底偵測(cè)減少開關(guān)損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達(dá)93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN
進(jìn)階保護(hù)功能如下：
(1) VDD過(guò)電壓及欠電壓保護(hù)
(2) 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù)
(3) 輸出過(guò)電壓保護(hù)
(4) 輸出短路保護(hù)
可輸出65W功率

二、GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1的應(yīng)用：